Продам транзисторы 2Т827В из личных запасов. 70 руб за
штуку.
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные
составные
структуры n-p-n
усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,
стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности,
повторителях, переключающих устройствах, электронных системах
управления, защиты и автоматики.
Транзисторы в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса
транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Параметр
Мин.
Тип.
Макс.
Единицы
Условия
Статический коэффициент передачи
тока в схеме ОЭ
750
6000
18000
-
UКЭ =3В, IК
= 10А,
T = +25°С
750
-
-
UКЭ =3В, IК
= 10А,
T = TК.МАКС
100
UКЭ =3В, IК
= 10А,
T = -60°С
100
700
3500
-
UКЭ =3В, IК
= 20А
Граничная частота коэффициента
передачи тока в схеме ОЭ
4
-
-
МГц
UКЭ =3В, IК
= 10А
Граничное напряжение
60
70
80
В
IК
= 100мА
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
1
1.45
2
В
IК
= 10А, IБ = 40мА
1.8
2.4
3
В
IК
= 20А, IБ = 200мА
Напряжение насыщения база-эмиттер
2.6
3
4
В
IК
= 20А, IБ = 200мА
Входное напряжение база-эмиттер
1.6
2
2.8
В
IК
= 10А, UКЭ =3В
Время включения
0.3
0.5
1
мкс
IК
= 10А, IБ = 40мА
Время выключения
3
4
6
мкс
IК
= 10А, IБ = 40мА
Время рассасывания
2
3
4.5
мкс
IК
= 10А, IБ = 40мА
Обратный ток коллектор-эмиттер
-
-
3
мА
UКЭ
= UКЭ R.МАКС,
RБЭ
= 1кОм,
ТК = -60...+25°С
-
-
5
мА
UКЭ
= UКЭ R.МАКС,
RБЭ
= 1кОм,
ТК = ТК.МАКС
Обратный ток эмиттера
-
-
2
мА
UЭБ
=5В
Емкость коллекторного перехода
200
260
400
пФ
UКБ
=10В
Емкость эмиттерного перехода
160
180
350
пФ
UЭБ
=5В
Тепловое сопротивление
переход-корпус
-
1.4
-
°С/Вт
UКЭ =10В, IК
= 12.5А
Предельные эксплуатационные параметры
Параметр
Мин.
Макс.
Единицы
Условия
Постоянное
напряжение коллектор-эмиттер
-
60
В
RБЭ
= 1кОм
Импульсное
напряжение коллектор-эмиттер
-
60
В
tФ
= 0.2мкс
Постоянное напряжение база-эмиттер
-
5
В
Постоянный ток коллектора
-
20
А
Импульсный ток коллектора
-
40
А
Постоянный ток базы
-
0.5
А
Импульсный ток базы
-
0.8
А
Постоянная рассеиваемая
мощность коллектора1
-
125
Вт
ТК =
-60...+25°С
Температура
p-n перехода
-
+200
°С
Температура окружающей среды
-60
+125
°С
1
При ТК≥ +25°С
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
рассчитывается по формуле PК.МАКС =
(200 - ТК)/1.4, Вт.
Пайка выводов транзисторов
допускается не
ближе 5мм от основания корпуса при температуре
припоя не более +260°С в течение не более 3с.
Допустимое значение
статического потенциала 2кВ.
Приобрести транзисторы 2Т827В можно в
Москве в районе метро "Щелковская". По вопросам приобретения обращайтесь на
почтовый ящик Yarst@mail.ru.
Материал на страницах этого сайта
выложен только для ознакомительных целей.
Любая перепечатка и распространение,
использование в коммерческих целях материалов данного сайта возможно
только с разрешения и по согласованию с автором.