Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления, защиты и автоматики. Транзисторы в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
|
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
|
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ |
750 |
6000 |
18000 |
- |
UКЭ = 3В, IК = 10А, T = +25°С |
| 750 | - | - |
UКЭ = 3В, IК = 10А, T = TК.МАКС |
||
| 100 |
UКЭ = 3В, IК = 10А, T = -60°С |
||||
| 100 | 700 | 3500 | - |
UКЭ = 3В, IК = 20А |
|
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ |
4 |
- |
- |
МГц |
UКЭ = 3В, IК = 10А |
|
Граничное напряжение |
80 |
90 |
100 |
В |
IК = 100мА |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
1 |
1.45 |
2 |
В |
IК = 10А, IБ = 40мА |
| 1.8 | 2.4 | 3 | В | IК = 20А, IБ = 200мА | |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер |
2.6 |
3 |
4 |
В |
IК = 20А, IБ = 200мА |
| Входное напряжение база-эмиттер | 1.6 | 2 | 2.8 | В | IК = 10А, UКЭ = 3В |
| Время включения | 0.3 | 0.5 | 1 | мкс |
IК = 10А, IБ = 40мА |
| Время выключения | 3 | 4 | 6 | мкс |
IК = 10А, IБ = 40мА |
| Время рассасывания | 2 | 3 | 4.5 | мкс |
IК = 10А, IБ = 40мА |
|
Обратный ток коллектор-эмиттер |
- |
- |
3 |
мА |
UКЭ = UКЭ R.МАКС, RБЭ = 1кОм, ТК = -60...+25°С |
| - | - | 5 | мА |
UКЭ = UКЭ R.МАКС, RБЭ = 1кОм, ТК = ТК.МАКС |
|
|
Обратный ток эмиттера |
- |
- |
2 |
мА |
UЭБ = 5В |
|
Емкость коллекторного перехода |
200 |
260 |
400 |
пФ |
UКБ = 10В |
|
Емкость эмиттерного перехода |
160 |
180 |
350 |
пФ |
UЭБ = 5В |
|
Тепловое сопротивление переход-корпус |
- |
1.4 |
- |
°С/Вт |
UКЭ = 10В, IК = 12.5А |
Предельные эксплуатационные параметры
|
Параметр |
Мин. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
|
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
- | 80 | В |
RБЭ = 1кОм |
|
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
- | 80 | В |
tФ = 0.2мкс |
|
Постоянное напряжение база-эмиттер |
- |
5 |
В |
|
|
Постоянный ток коллектора |
- |
20 |
А |
|
|
Импульсный ток коллектора |
- |
40 |
А |
|
|
Постоянный ток базы |
- |
0.5 |
А |
|
|
Импульсный ток базы |
- |
0.8 |
А |
|
|
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 |
- |
125 |
Вт |
ТК = -60...+25°С |
| Температура p-n перехода | - | +200 | °С | |
|
Температура окружающей среды |
-60 |
+100 |
°С |
1 При ТК ≥ +25°С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле PК.МАКС = (200 - ТК)/1.4, Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5мм от основания корпуса при температуре припоя не более +260°С в течение не более 3с.
Допустимое значение статического потенциала 2кВ.
Приобрести транзисторы КТ827Б можно в Москве в районе метро "Щелковская". По вопросам приобретения обращайтесь на почтовый ящик Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..