Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
|
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
|
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ |
4 |
- |
- |
- |
ТК = +25°С, UКЭ = 2.5В, IК = 8А |
|
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте |
3.5 |
6.5 |
8.4 |
- |
f = 1МГц, UКЭ = 10В, IК = 0.2А |
|
Граничное напряжение |
350 |
450 |
650 |
В |
IК = 0.1А, IК.НАС = 300мА, L = 40мГн |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
1 |
1.35 |
2.5 |
В |
IК = 8А, IБ = 1.6А |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер |
1.8 |
2.2 |
2.5 |
В |
IК = 8А, IБ = 1.6А |
|
Время спада |
0.22 |
0.6 |
1.3 |
мкс |
UКЭ = 250В, UБЭ = 4В, IК = 5А, IБ = 2.5А |
|
Обратный ток коллектора |
- |
0.5 |
5 |
мА |
ТК = +25°С, UКБ = 700В |
|
Обратный ток эмиттера |
- |
- |
150 |
мА |
UЭБ = 7В |
|
Емкость коллекторного перехода |
70 |
80 |
100 |
пФ |
UКБ = 100В |
Предельные эксплуатационные параметры
|
Параметр |
Мин. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
|
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
- |
700 |
В |
RБ = 10 Ом, tИ ≤ 1мс, Q ≥ 10 или tИ ≤ 50мкс, Q ≥ 2 |
| - |
350 |
В |
RБ = 10 Ом, tИ ≤ 50мкс, tФ ≥ 0.3мкс, Q ≥ 2, Т = -40...+85°С |
|
|
Постоянное напряжение база-эмиттер |
- |
7 |
В |
|
|
Постоянный ток коллектора |
- |
8 |
А |
|
|
Импульсный ток коллектора |
- |
12 |
А |
tИ ≤ 1мс, Q ≥ 10 или tИ ≤ 50мкс, Q ≥ 2 |
|
Постоянный ток базы |
- |
3 |
А |
|
|
Импульсный ток базы |
- |
4 |
А |
tИ ≤ 1мс, Q ≥ 10 или tИ ≤ 50мкс, Q ≥ 2 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 | - | 50 | Вт | ТК = -40...+50°С |
| Температура p-n перехода | - | +150 | °С | |
|
Температура окружающей среды |
-45 |
+85 |
°С |
1 При повышении температуры корпуса выше +50°С PК.МАКС снижается в соответствии с формулой PК.МАКС = (ТП - ТК)·RТ(П-К), Вт. Значение RТ (П-К) определяется из области максимальных режимов.
При применении транзисторов в каскадах строчной развертки телевизоров допускается эксплуатация эксплуатация их с коэффициентом загрузки, равным единице по UК и IК; при этом температура корпуса не должна превышать +100°С.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5мм, температура пайки не выше +250°С в течение 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2кВ.
Приобрести транзисторы КТ812А можно в Москве в районе метро "Щелковская". По вопросам приобретения обращайтесь на почтовый ящик Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..