Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
|
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
|
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ |
20 |
- |
125 |
- |
UКЭ = 3В, IК = 2А |
|
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте |
2.4 |
- |
- |
- |
f = 3.5МГц, UКЭ = 10В, IЭ = 0.5А |
|
Граничное напряжение |
130 |
- |
- |
В |
IК = 0.1А, L = 25мГн |
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
- |
- |
1.5 |
В |
IК = 6А, IБ = 0.6А |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер |
1 |
1.4 |
2.5 |
В |
IК = 6А, IБ = 0.6А |
|
Время рассасывания |
- |
- |
2 |
мкс |
UКЭ = 15В, IК = 6А |
|
Обратный ток коллектора |
- |
- |
2 |
мА |
UКЭ = UКЭ R, МАКС, ТК = +25°С |
|
Обратный ток эмиттера |
- |
- |
15 |
мА |
UБЭ = 4В |
|
Емкость коллекторного перехода |
- |
- |
500 |
пФ |
UКБ = 10В, f = 1МГц |
Предельные эксплуатационные параметры
|
Параметр |
Мин. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
|
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер1 |
- | 130 | В |
RБ = 10 Ом, TП ≤ +100°С |
| Импульсное напряжение коллектор-эмиттер1 | - | 250 | В |
tИ ≤ 500мкс, tФ ≥ 30мкс, UБЭ = 2В или RБ = 10 Ом, Q ≥ 7, TП ≤ +100°С |
|
Постоянное напряжение эмиттер-база |
- |
5 |
В |
|
|
Постоянный ток коллектора |
- |
10 |
А |
|
|
Импульсный ток коллектора |
- |
15 |
А |
|
|
Постоянный ток базы |
- |
4 |
А |
|
|
Импульсный ток базы |
- |
4 |
А |
tИ ≤ 1мс, Q ≥ 10 или tИ ≤ 50мкс, Q ≥ 2 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 | - | 70 | Вт | ТК = -60...+50°С |
| Температура p-n перехода | - | +150 | °С | |
|
Температура окружающей среды |
-60 |
+125 |
°С |
1 При ТП = +100...+150°С постоянное и импульсное напряжение коллектор-эмиттер снижаются на 10% на каждые 10°С. Температура перехода рассчитывается по формуле ТП = ТК + RТ(П-К)·(PК + ЗЭ), °С.
Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19.62Н в осевом и 3.43Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода.
Пайка выводов допускается не ближе 6мм от корпуса транзистора, температура пайки не более +275°С в течение не более 3с.
Приобрести транзисторы КТ808АМ можно в Москве в районе метро "Щелковская". По вопросам приобретения обращайтесь на почтовый ящик Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..