Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, высоковольтных переключающих устройствах. Транзисторы в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ |
2.25 |
4 |
- |
- |
UКЭ = 5В, IК = 4.5А |
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ |
4 |
7 |
- |
МГц |
UКЭ = 20В, IК = 0.1А |
Граничное напряжение |
700 |
- |
- |
В |
IК = 100мА |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
0.5 |
1 |
3 |
В |
IК = 4.5А, IБ = 2А, ТК = +25°С |
- | - | 5 | В |
IК = 4.5А, IБ = 2А, ТК = -60°С и ТК = ТК.МАКС |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер |
0.95 |
1 |
3 |
В |
IК = 4.5А, IБ = 2А |
Время включения | - | 0.4 | 0.55 | мкс |
UКЭ = 500В, IК = 4.5А, IБ = 1.8А |
Время рассасывания | - | 5 | 10 | мкс |
UКЭ = 500В, IК = 4.5А, IБ = 1.8А |
Время спада | - | 1 | 1.2 | мкс |
UКЭ = 500В, IК = 4.5А, IБ = 1.8А |
Обратный ток коллектора | - | - | 5 | мА |
UКБ = UКБ.МАКС |
Обратный ток коллектор-эмиттер |
- |
- |
5 |
мА |
UКЭ = UКЭ.МАКС, RБЭ = 10 Ом |
Обратный ток эмиттера |
- |
1 |
10 |
мА |
UЭБ = 5В |
Предельные эксплуатационные параметры
Параметр |
Мин. |
Макс. |
Единицы |
Условия |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер1 |
- | 800 | В |
RБЭ = 10 Ом, ТК = -60...+85°С |
- | 500 | В |
RБЭ = 10 Ом, ТК = +100°С |
|
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер2 |
- | 1400 | В |
RБЭ = 10 Ом, tИ = 40мс, Q = 10, dU/dt = 0.46В/нс при ТК = -40...+85°С и dU/dt = 0.3В/нс при ТК = -60...ТК.МАКС |
Постоянное напряжение база-эмиттер |
- |
5 |
В |
|
Постоянный ток коллектора |
- |
5 |
А |
|
Импульсный ток коллектора |
- |
7.5 |
А |
tИ = 10мс, Q = 2 |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
- |
50 |
Вт |
ТК = -60...+50°С |
Температура p-n перехода | - | +150 | °С | |
Температура окружающей среды |
-60 |
+100 |
°С |
1 При ТК ≥ +85°С максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер уменьшается линейно.
2 При ТК = -60...-40°С и ТК = +85...ТК.МАКС максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер снижается линейно до 1000В. Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при tФ ≥ 0.3мкс, Q = 2, tИ = 40мкс, dU/dt = 2.3В/нс снижается линейно до 700В при ТК = +85°С. При ТК = +85...ТК.МАКС это напряжение снижается линейно до 500В (dU/dt = 1.65В/нс).
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ИМС-100 ГОСТ 13002-77.
Приобрести транзисторы КТ828А можно в Москве в районе метро "Щелковская". По вопросам приобретения обращайтесь на почтовый ящик Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..